硅光电池基本特性实验仪电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V,

实验内容: (1) 了解硅光电池的基本结构及基本原理；(2)研究硅光电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系
硅光电池
半导体光源，暗箱
电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半数显
电流测量范围：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半数显
负载电阻：0-9999Ω
光强测量范围:0-1900LUX